Infineon Technologies IRLR8103VPBF
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IRLR8103VPBF
1211-IRLR8103VPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
--最小包装量--
IRLR8103VPBF详情
Infineon Technologies IRLR8103VPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
91A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
115W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
9mOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
89A
元素配置
Single
功率耗散
89W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2672pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 5V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
91A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
3 V
高度
2.3876mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IRLR8103VPBF拓展信息
Infineon Technologies
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