AUIRFS3107-7P备选型号: IRFS3107-7PPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7PTin表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON240A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3Discontinued1 (Unlimited)6EAR99超低电阻鸥翼R-PSSO-G6Single增强型MOSFET370WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 160A, 10V4V @ 250μA9200pF @ 50V240nC @ 10V80ns±20V64 ns240ATO-263CB20V0.0026Ohm75V320 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7-表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7SILICON240A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005e3Discontinued1 (Unlimited)6EAR99-鸥翼R-PSSO-G6Single增强型MOSFET370WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 160A, 10V4V @ 250μA9200pF @ 50V240nC @ 10V80ns±20V64 ns260A-20V-75V320 mJ4.572mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant14 WeeksSMD/SMT2.6MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier2603052 ns4V240A75V4 V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7 | 对比 |
![]() | STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III | 对比 |
![]() | IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 | 对比 |





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