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AUIRFS3607备选型号: IRFS7762PBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 质量
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK16 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns80A2V20V0.009Ohm75V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant----- MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK15 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-85A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006-Discontinued1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明-Single-140W-11 nsN-Channel-6.7m Ω @ 51A, 10V3.7V @ 100μA4440pF @ 25V130nC @ 10V49ns±20V40 ns85A-20V--4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC-ROHS3 Compliant3.949996g175V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1010ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| AUIRF1010EZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 对比 |
| IRFS7762PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
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