Infineon Technologies IRFS7762PBF
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IRFS7762PBF
1211-IRFS7762PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
1最小包装量--
IRFS7762PBF详情
Infineon Technologies IRFS7762PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
85A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
57 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
140W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7m Ω @ 51A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4440pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
49ns
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
85A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS7762PBF拓展信息
Infineon Technologies
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