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首页 全部分类 AUIRFS8405 vs IRFS7440PBF

AUIRFS8405备选型号: IRFS7440PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    AUIRFS8405
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRFS8405 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    163W
    14 ns
    N-Channel
    2.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    5193pF @ 25V
    161nC @ 10V
    128ns
    ±20V
    77 ns
    120A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7440PBF
    Infineon Technologies
    Transistor MOSFET N-ch 40V 120A D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2007
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    208W
    24 ns
    N-Channel
    2.5m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4730pF @ 25V
    135nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    68 ns
    120A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    208A
    0.0025Ohm
    772A
    24 ns
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