Infineon Technologies IRFS7440PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

115 ns

Power Dissipation (Max)

208W Tc

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2007

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135nC @ 10V

上升时间

68ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

68 ns

连续放电电流(ID)

120A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

208A

漏极-源极导通最大电阻

0.0025Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

772A

恢复时间

24 ns

栅源电压

3 V

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅