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AUIRFU1010Z备选型号: IPI80N06S2L11AKSA2
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏源电阻
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK13 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-26242 nsTube2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C140W17 ns55V91A5.8mOhm无SVHC符合RoHS标准--------------------------- MOSFET N-CH 55V 80A TO262-314 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-80A TcTube2010Obsolete1 (Unlimited)---11 ns-80A--ROHS3 CompliantSILICON-55°C~175°C TJOptiMOS™e3yes3EAR99Tin (Sn)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel10.7m Ω @ 40A, 10V2V @ 93μA无卤素2075pF @ 25V80nC @ 10V32ns±20V13 ns20V55V0.0147Ohm280 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI100N06S3L-03 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | 对比 |
| IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 对比 |
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