Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA2

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

158W Tc

Turn Off Delay Time

46 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.7m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 93μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2075pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.0147Ohm

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant