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AUIRFU8401备选型号: AUIRFU4104
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- ECCN 代码
- 通道数量
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3100A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2013活跃1 (Unlimited)EAR991Single79W7.9 nsN-Channel4.25m Ω @ 60A, 10V3.9V @ 500μA2200pF @ 25V63nC @ 10V34ns40V±20V24 ns100A20V6.22mm6.73mm2.39mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
Trans MOSFET N-CH 40V 119A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA342A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)EAR99-Single140W17 nsN-Channel5.5m Ω @ 42A, 10V4V @ 250μA2950pF @ 25V89nC @ 10V69ns-±20V36 ns119A20V7.49mm6.73mm2.39mm无SVHC无符合RoHS标准-TinSILICON3AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE增强型MOSFETDRAINSWITCHING2V42A0.0055Ohm40V480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDU8874 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK | 对比 |
| AUIRFU4104 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 40V 119A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
 | NTD4804NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK | 对比 |
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