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AUIRFZ44VZS备选型号: NDB6060L
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAKTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON57A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET92WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 34A, 10V1690pF @ 25V65nC @ 10V62ns±20V38 ns57A2V20V60V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263ABTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON100W Tc2V @ 250μA-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)--e3活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容鸥翼--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET100WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 24A, 10V2000pF @ 25V60nC @ 5V320ns±16V161 ns48A2V16V60V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant8 Weeks1.31247gyesSMD/SMT25mOhm60V48A60V200 mJ2 V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| NDB6060L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB | 对比 |
| AUIRFZ44ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | 对比 |
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