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首页 全部分类 AUIRGP35B60PD-E vs IRGP35B60PDPBF

AUIRGP35B60PD-E备选型号: IRGP35B60PDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Infineon Technologies
    AUIRGP35B60PD-E
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.15V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    308W
    11ns
    Single
    308W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    TO-247AD
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    55nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    16ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP35B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.85V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    308W
    -
    Single
    308W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    TO-247AC
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    160nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    -
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    600V
    60A
    26 ns
    6ns
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