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首页 全部分类 AUIRGP66524D0 vs STGW30NC60KD

AUIRGP66524D0备选型号: STGW30NC60KD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRGP66524D0
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 214W TO-247AC
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247AC
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    214W
    Standard
    214W
    1.9V
    60A
    176 ns
    600V
    1.9V @ 15V, 24A
    80nC
    72A
    30ns/75ns
    915μJ (on), 280μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 200W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    200W
    Standard
    200W
    600V
    60A
    40 ns
    -
    2.7V @ 15V, 20A
    96nC
    125A
    29ns/120ns
    350μJ (on), 435μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    SILICON
    PowerMESH™
    3
    EAR99
    超快
    STGW30
    3
    Single
    29 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    41 ns
    290 ns
    20V
    6.5V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    无铅
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