STMicroelectronics STGW30NC60KD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

120 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超快

最大功率耗散

200W

基本部件号

STGW30

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

29 ns

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

40 ns

接通时间

41 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

290 ns

闸门收费

96nC

集极脉冲电流（Icm）

125A

Td（开/关）@25°C

29ns/120ns

开关能量

350μJ (on), 435μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅