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AUIRGS30B60K备选型号: IRGS30B60KTRRP
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 最大击穿电压
IGBT 600V 78A 370W D2PAK9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V2.35V-55°C~175°C TJTube2010e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier370W鸥翼26030R-PSSO-G2Single370WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.35V78A74 ns2.35V @ 15V, 30A237 nsNPT102nC120A46ns/185ns350μJ (on), 825μJ (off)20V5.5V42ns4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- IGBT 600V 78A 370W D2PAK9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V1.95V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2005e3最后一次购买1 (Unlimited)2-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier370W鸥翼26030R-PSSO-G2Single-COLLECTORStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.35V78A74 ns2.35V @ 15V, 30A237 nsNPT102nC120A46ns/185ns350μJ (on), 825μJ (off)20V5.5V42ns----无ROHS3 Compliant-260.39037mgIRGS30B60KPBF370W600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS30B60KTRRP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 78A 370W D2PAK | 对比 |
 | FGB40N6S2T | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 75A 290W TO263AB | 对比 |
| FGB40N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 75A 290W TO263AB | 对比 |
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