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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥30.212126
10
¥28.502003
100
¥26.888686
500
¥25.366684
1000
¥23.93083
ON Semiconductor FGB40N6S2T
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- 对比
FGB40N6S2T
1807-FGB40N6S2T
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 75A 290W TO263AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGB40N6S2T详情
ON Semiconductor FGB40N6S2T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
TO-263AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Current-Collector (Ic) (Max)
75A
Test Conditions
390V, 20A, 3Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
290W
额定电流
75A
基本部件号
FGB40N6
元素配置
Single
功率耗散
290W
输入类型
Standard
功率 - 最大
290W
上升时间
10ns
集电极发射器电压(VCEO)
2.7V
最大集电极电流
75A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 20A
闸门收费
35nC
集极脉冲电流(Icm)
180A
Td(开/关)@25°C
8ns/35ns
开关能量
115μJ (on), 195μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FGB40N6S2T拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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