AUIRLL014NTR备选型号: AUIRFL014NTR
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- MOSFET N-CH 55V 2A SOT-2239 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA42A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, HEXFET®2012Obsolete1 (Unlimited)EAR99Single1W5.1 nsN-Channel140m Ω @ 2A, 10V2V @ 250μA230pF @ 25V14nC @ 10V4.9ns±16V2.9 ns2A2V16V2.8A55V1.8mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------
- MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-2239 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA41.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)EAR99SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1W6.6 nsN-Channel160m Ω @ 1.9A, 10V4V @ 250μA190pF @ 25V11nC @ 10V7.1ns±20V3.3 ns1.5A2V20V2.7A55V1.8mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 CompliantSILICONe34Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL鸥翼增强型MOSFETDRAINSWITCHING
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFL014NTR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 | 对比 |
![]() | NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |



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