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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.102939
10
¥7.644283
100
¥7.211587
500
¥6.803385
1000
¥6.418287
Infineon Technologies AUIRLL014NTR
- 收藏
- 对比
AUIRLL014NTR
1211-AUIRLL014NTR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRLL014NTR详情
Infineon Technologies AUIRLL014NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
功率耗散
1W
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
230pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
上升时间
4.9ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
2.9 ns
连续放电电流(ID)
2A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8A
漏源击穿电压
55V
高度
1.8mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AUIRLL014NTR拓展信息
Infineon Technologies
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