我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
AUIRLL024NTR备选型号: FQT13N06LTF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-2249 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON3.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.1WDRAIN7.4 nsN-ChannelSWITCHING65m Ω @ 3.1A, 10V2V @ 250μA510pF @ 25V15.6nC @ 5V21ns±16V25 ns3.1A1V16V0.065Ohm55V无SVHC无ROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-22321 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON2.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2001e3活跃1 (Unlimited)4EAR99--DUAL鸥翼-增强型MOSFET2.1WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 1.4A, 10V2.5V @ 250μA350pF @ 25V6.4nC @ 5V90ns±20V40 ns2.8A2.5V20V-60V无SVHC-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)Tin188mgyes110mOhm60V未说明not_compliant2.8A未说明R-PDSO-G4不合格Single1.6mm6.5mm3.56mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | 对比 |
| IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 对比 |
哦! 它是空的。