Infineon Technologies AUIRLL024NTR

工厂交货时间

9 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.6nC @ 5V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

3.1A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

55V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant