AUIRLL024ZTR备选型号: HUFA75309T3ST
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 Package8 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA45A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2015活跃1 (Unlimited)EAR99Single1W8.6 nsN-Channel60m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA380pF @ 25V11nC @ 5V33ns55V±16V15 ns5A16V5A无ROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA43A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002Obsolete1 (Unlimited)--1.1W-N-Channel70mOhm @ 3A, 10V4V @ 250μA352pF @ 25V23nC @ 20V20ns55V±20V20 ns3A20V--符合RoHS标准SOT-223-4150°C-55°C55V3ASingle55V352pF70mOhm70 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRLL2705TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 | 对比 |
![]() | HUFA75309T3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | 对比 |
| BUK7880-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SC-73 T/R | 对比 |



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