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首页 全部分类 AUIRLR024ZTRL vs IRLR024NTRPBF

AUIRLR024ZTRL备选型号: IRLR024NTRPBF

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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    AUIRLR024ZTRL
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 55V 16A DPAK
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    8.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 9.6A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    9.9nC @ 5V
    43ns
    ±16V
    16 ns
    16A
    TO-252AA
    16V
    0.058Ohm
    55V
    64A
    25 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR024NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    ±16V
    29 ns
    17A
    TO-252AA
    16V
    -
    55V
    72A
    68 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    e3
    SMD/SMT
    80mOhm
    55V
    17A
    1
    Single
    2V
    55V
    90 ns
    175°C
    2 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 对比