Infineon Technologies AUIRLR024ZTRL

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

58m Ω @ 9.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.9nC @ 5V

上升时间

43ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

16A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.058Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅