您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 AUIRS2004S vs IRS2609DSPBF

AUIRS2004S备选型号: IRS2609DSPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 最大输出电流
  • 电源
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 电源电流
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRS2004S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    1999
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    AUIRS2004S
    600mA
    15V
    625mW
    130mA
    880 ns
    Non-Inverting
    150 ns
    220ns
    170 ns
    160ns 70ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2609DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1996
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2609DSPBF
    350mA
    -
    625mW
    200mA
    1.1 μs
    Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    600V
    5mm
    -
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    200Ohm
    1
    620V
    2mA
    0.2A
    YES
    0.4 μs
    1.5mm
    无铅
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NCP1392DDR2G NCP1392DDR2G ON Semiconductor PMIC - 栅极驱动器 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET Driver, High Voltage, Half Bridge, with Inbuilt Oscillator 对比
IRS2609DSPBF IRS2609DSPBF Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 对比
IR2151SPBF IR2151SPBF Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC 对比