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首页 全部分类 AUIRS2004S vs NCP1392DDR2G

AUIRS2004S备选型号: NCP1392DDR2G

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电流
  • 无卤素
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRS2004S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    1999
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    AUIRS2004S
    600mA
    15V
    625mW
    130mA
    880 ns
    Non-Inverting
    150 ns
    220ns
    170 ns
    160ns 70ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP1392DDR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET Driver, High Voltage, Half Bridge, with Inbuilt Oscillator
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    12V
    未说明
    NCP1392
    1A
    -
    -
    -
    500 ns
    Non-Inverting
    -
    40ns
    20 ns
    40ns 20ns
    Synchronous
    2
    N-Channel MOSFET
    500mA 1A
    -
    600V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    yes
    8
    不合格
    50μA
    无卤素
    1A
    YES
    无铅
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