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BA12004BF-E2备选型号: ULN2003ADR2G

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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大集极截止电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    BA12004BF-E2
    ROHM Semiconductor
    TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
    16
    60V
    -40°C~85°C TA
    Cut Tape (CT)
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    620mW
    未说明
    未说明
    620mW
    7 NPN Darlington
    1.6V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    1.6V @ 500μA, 350mA
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ULN2003ADR2G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    50V
    -20°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    1.6V @ 500μA, 350mA
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    SILICON
    1.6V
    e3
    yes
    16
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    UL*2003A
    16
    50V
    NPN
    3
    SWITCHING
    无卤素
    50μA
    1.5mm
    10mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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