BAS116QAZ备选型号: BAS116-7-F
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 二极管元件材料
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 工作温度 - 结点
- 输出电流-最大值
- 平均整流电流(Io)
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 电容@Vr, F
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 电容量
- 额定功率
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 正向电流
- 最大浪涌电流
- 正向电压
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 反向电压(直流电)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN4 Weeks表面贴装表面贴装3-XDFN Exposed PadSILICON1Tape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)3DUAL无铅未说明未说明3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-N3SINGLEStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)Standard5nA @ 75V1.25V @ 150mACATHODE-55°C~150°C0.3A300mA DC75V300mA3 μs2pF @ 0V 1MHzROHS3 Compliant-----------------------------------
- DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-319 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON1Tape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼260403---Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)Standard5nA @ 75V1.25V @ 150mA--65°C~150°C-215mA DC85V215mA3 μs2pF @ 0V 1MHzROHS3 CompliantTin37.994566mg2003e3yesEAR99150°C-65°C低漏电流8541.10.00.702pF250mW85V150mW215mABAS116Single250mW250mA150mA4A1.25V5nA85V4A4A3 μs85V1mm3.05mm1.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS116-7-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | 对比 |
![]() | BAV116WSQ-7 | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | SC-76, SOD-323 | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323 | 对比 |





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