BAS116QAZ备选型号: BAV116WSQ-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流(Io)
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • RoHS状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 正向电流
  • Nexperia USA Inc.
    DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XDFN Exposed Pad
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    3
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-N3
    SINGLE
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5nA @ 75V
    1.25V @ 150mA
    CATHODE
    -55°C~150°C
    0.3A
    300mA DC
    75V
    300mA
    3 μs
    2pF @ 0V 1MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-76, SOD-323
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    R-PDSO-G2
    SINGLE
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5nA @ 75V
    1.25V @ 150mA
    -
    -55°C~150°C
    0.215A
    -
    85V
    215mA
    3 μs
    1.5pF @ 0V 1MHz
    ROHS3 Compliant
    2006
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.70
    215mA
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BAS116-7-F BAS116-7-F Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 对比
BAV116WSQ-7 BAV116WSQ-7 Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 SC-76, SOD-323 DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323 对比