BAS21LT1G备选型号: BAS21LT3G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电容量
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 功率耗散
- 输出电流
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 正向电流
- 最大反向漏电电流
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 无卤素
- 平均整流电流(Io)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电容@Vr, F
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON250VCut Tape (CT)2004e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°C8541.10.00.705pF鸥翼260200mA40BAS21L3DualSmall Signal =< 200mA (Io), Any SpeedStandard100nA @ 200V385mW200mA1.25V @ 200mA200mA100nA-55°C~150°C625mA无卤素200mA DC1.25V250V200mA50 ns100nA250V5pF @ 0V 1MHz625mA625mA50 ns940μm2.9mm1.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 WeeksTin-表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1Tape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°C8541.10.00.70-鸥翼260-40BAS21L3DualSmall Signal =< 200mA (Io), Any SpeedStandard100nA @ 200V385mW200mA1.25V @ 200mA200mA100nA-55°C~150°C625mA无卤素200mA DC1.25V250V200mA50 ns100nA250V5pF @ 0V 1MHz625mA625mA50 ns940μm2.9mm1.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅YES
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS19LT1G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 | 对比 | |
| BAS21LT3G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | 对比 |


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