ON Semiconductor BAS19LT1G

工厂交货时间

4 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min)

-55°C

Operating Temperature (Max)

150°C

Breakdown Voltage / V

120V

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

电容量

5pF

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BAS19

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 100V

功率耗散

385mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

输出电流

200mA

正向电流

200mA

最大反向漏电电流

100nA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

625mA

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

200mA DC

正向电压

1.25V

最大反向电压（DC）

120V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

50 ns

峰值反向电流

100nA

最大重复反向电压(Vrrm)

120V

电容@Vr, F

5pF @ 0V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

625mA

最大正向浪涌电流（Ifsm）

625mA

恢复时间

50 ns

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

940μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅