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首页 全部分类 BBL4001-1E vs IPP80N06S407AKSA2

BBL4001-1E备选型号: IPP80N06S407AKSA2

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 引脚数
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  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    BBL4001-1E
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 74A 3-Pin TO-220F Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    9 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    74A Ta
    150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    48 ns
    N-Channel
    6.1m Ω @ 37A, 10V
    2.6V @ 1mA
    6900pF @ 20V
    135nC @ 10V
    300ns
    60V
    ±20V
    340 ns
    74A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S407AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
    -
    16 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    15 ns
    N-Channel
    7.4m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 40μA
    4500pF @ 25V
    56nC @ 10V
    3ns
    -
    ±20V
    5 ns
    80A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2006
    3
    SINGLE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    TO-220AB
    60V
    0.0071Ohm
    71 mJ
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