BBL4001-1E
BBL4001-1E

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ON Semiconductor BBL4001-1E

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型号

BBL4001-1E

utmel 编号

1807-BBL4001-1E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 60V 74A 3-Pin TO-220F Tube

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BBL4001-1E
BBL4001-1E ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 74A 3-Pin TO-220F Tube

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BBL4001-1E详情

ON Semiconductor BBL4001-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    74A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2W Ta 35W Tc

  • Turn Off Delay Time

    510 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    Single

  • 接通延迟时间

    48 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6.1m Ω @ 37A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.6V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6900pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    135nC @ 10V

  • 上升时间

    300ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    340 ns

  • 连续放电电流(ID)

    74A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor BBL4001-1E.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & BBL4001-1E相似的参数规格。

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BBL4001-1E拓展信息

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NVR5198NLT1G
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NDS0605
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