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BBS3002-DL-E备选型号: IRFS7540PBF
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
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- ECCN 代码
- 终端形式
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FDSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SMP-FD100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C90WP-Channel5.8mOhm @ 50A, 10V13200pF @ 20V280nC @ 10V60V±20V100A20V13.2nF5.8 mΩ符合RoHS标准--------------------- MOSFET N CH 60V 110A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-58 ns-55°C~175°C TJTube2007Discontinued1 (Unlimited)--160WN-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V4555pF @ 25V130nC @ 10V-±20V110A20V--ROHS3 Compliant3.949996gSILICONHEXFET®, StrongIRFET™2EAR99鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN12 nsSWITCHING3.7V @ 100μA76ns56 ns60V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BBS3002-TL-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 100A | 对比 |
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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