ON Semiconductor BBS3002-TL-1E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

2

质量

2.084002g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

800 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

95 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13200pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

280nC @ 10V

上升时间

1μs

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

820 ns

连续放电电流(ID)

-100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

340 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

5.08mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅