BBS3002-TL-1E备选型号: IRFS7540PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- MOSFET P-CH 60V 100AACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB22.084002gSILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliant2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET90WDRAIN95 nsP-Channel5.8m Ω @ 50A, 10V13200pF @ 20V280nC @ 10V1μs60V±20V820 ns-100A20V0.009Ohm-60V400A340 mJ150°C5.08mmROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N CH 60V 110A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996gSILICON58 ns-55°C~175°C TJTube2007--Discontinued1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼---1增强型MOSFET160WDRAIN12 nsN-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns-±20V56 ns110A20V-60V----ROHS3 Compliant无铅HEXFET®, StrongIRFET™未说明未说明R-PSSO-G2SingleSWITCHING3.7V @ 100μA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |



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