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BC848BE6433HTMA1备选型号: 2PD601AR,115
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- 电压 - 额定直流
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- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 转换频率
- 最大耗散功率(Abs)
- VCEsat-最大值
- 集电极-基极电容-最大值
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/RTinTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装SOT-23-330V2011Tape & Reel (TR)150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)150°C-65°C30V330mW100mABC848330mWNPN600mV100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA30V30V250MHz30VROHS3 Compliant无铅----------------------- TRANS NPN 50V 0.1A SC-59-TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装--100mA2009Tape & Reel (TR)150°C TJObsolete1 (Unlimited)-----2PD601A250mWNPN--210 @ 2mA 10V10nA ICBO250mV @ 10mA, 100mA50V-100MHz-ROHS3 Compliant-YESSILICONe33EAR99TIN8541.21.00.95DUAL鸥翼260403R-PDSO-G3不合格SINGLESWITCHINGNPNTO-236AB100MHz0.25W0.5 V3.5pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN1406,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini | 对比 |
 | NSCT3904LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 | 对比 |
 | BC848B-13-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | 对比 |
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