NXP USA Inc. 2PD601AR,115
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2PD601AR,115
1786-2PD601AR,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
1最小包装量--
2PD601AR,115详情
NXP USA Inc. 2PD601AR,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2PD601A
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
210 @ 2mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
JEDEC-95代码
TO-236AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
0.25W
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
3.5pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2PD601AR,115拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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