您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BC850CE6327HTSA1 vs 2PD601AR,115

BC850CE6327HTSA1备选型号: 2PD601AR,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • VCEsat-最大值
  • 集电极-基极电容-最大值
  • Infineon Technologies
    BC850CE6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    45V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低噪音
    45V
    330mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    100mA
    250MHz
    未说明
    BC850
    不合格
    SINGLE
    330mW
    SWITCHING
    不含卤素
    NPN
    NPN
    45V
    100mA
    420 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    250MHz
    45V
    50V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    2PD601AR,115
    NXP USA Inc.
    TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
    -
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    100mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    40
    2PD601A
    不合格
    SINGLE
    -
    SWITCHING
    -
    NPN
    NPN
    -
    -
    210 @ 2mA 10V
    10nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    100MHz
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    TIN
    8541.21.00.95
    3
    R-PDSO-G3
    250mW
    TO-236AB
    50V
    100MHz
    0.25W
    0.5 V
    3.5pF
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RN1404S,LF RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k 对比
DTC144GKAT146 DTC144GKAT146 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 对比
DTC125TKAT146 DTC125TKAT146 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 对比