BC856SH6327XTSA1备选型号: MUN5216DW1T1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 极性
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    65V
    250mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    250mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    BC856S
    AEC-Q101
    PNP
    65V
    Dual
    1A
    AMPLIFIER
    无卤素
    250MHz
    2 PNP (Dual)
    65V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    650mV @ 5mA, 100mA
    250MHz
    250MHz
    80V
    5V
    800μm
    2mm
    1.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    250mW
    鸥翼
    240
    30
    MUN52**DW1T
    -
    NPN
    -
    Dual
    -
    SWITCHING
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    250mV
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    50V
    not_compliant
    100mA
    6
    不合格
    187mW
    4.7k Ω
    100mA
    含铅
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