Infineon Technologies BC856SH6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC856S

参考标准

AEC-Q101

极性

PNP

电压

65V

元素配置

Dual

电流

1A

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

最高频率

250MHz

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

800μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant