BC857BL3E6327XTMA1备选型号: KSA812YMTF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TSLP T/R
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    45V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e4
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低噪音
    -45V
    250mW
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    -100mA
    250MHz
    未说明
    SINGLE
    250mW
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    无卤素
    PNP
    PNP
    45V
    100mA
    220 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    650mV @ 5mA, 100mA
    250MHz
    50V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    50V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -50V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    -100mA
    180MHz
    -
    -
    150mW
    -
    AMPLIFIER
    -
    PNP
    PNP
    50V
    100mA
    135 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 10mA, 100mA
    180MHz
    -60V
    -5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    30mg
    -180mV
    yes
    Tin (Sn)
    KSA812
    Single
    180MHz
    50V
    970μm
    2.9mm
    1.3mm
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