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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.119732
10
¥1.05635
100
¥0.996557
500
¥0.940145
1000
¥0.886932
Infineon Technologies BC857BL3E6327XTMA1
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- 对比
BC857BL3E6327XTMA1
1211-BC857BL3E6327XTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-101, SOT-883
大陆
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TSLP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC857BL3E6327XTMA1详情
Infineon Technologies BC857BL3E6327XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e4
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
250mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC857BL3E6327XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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