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首页 全部分类 BC857BV-7 vs RN4902FE,LF(CT

BC857BV-7备选型号: RN4902FE,LF(CT

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  • 频率
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  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    BC857BV-7
    Diodes Incorporated
    TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    SILICON
    -45V
    -400mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    150mW
    FLAT
    260
    100MHz
    40
    BC857BV
    6
    不合格
    PNP
    Dual
    150mW
    100MHz
    2 PNP (Dual)
    -45V
    -100mA
    220 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    400mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    45V
    -50V
    5V
    150°C
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4902FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    3.005049mg
    -
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    -
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    ES6
    2
    100mW
    50V
    250MHz 200MHz
    10kOhms
    100mA
    10kOhms
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