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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.522523
10
¥2.379741
100
¥2.24504
500
¥2.117961
1000
¥1.998075
ON Semiconductor NSBC144EPDXV6T5G
- 收藏
- 对比
NSBC144EPDXV6T5G
1807-NSBC144EPDXV6T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSBC144EPDXV6T5G详情
ON Semiconductor NSBC144EPDXV6T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
500mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NSBC1*
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
357mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)
47k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSBC144EPDXV6T5G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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