您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BCM857BS,115 vs RN4982,LF(CT

BCM857BS,115备选型号: RN4982,LF(CT

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 容差
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 测试电流
  • 增益带宽积
  • 齐纳电压
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Nexperia USA Inc.
    BCM857BS,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    -45V
    400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    5%
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    300mW
    鸥翼
    260
    175MHz
    40
    BCM857
    6
    PNP
    45V
    Dual
    1A
    300mW
    AMPLIFIER
    5mA
    175MHz
    39V
    2 PNP (Dual) Matched Pair
    -45V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    400mV @ 5mA, 100mA
    175MHz
    45V
    50V
    5V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4982,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    200mW
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    100μA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    50V
    -
    -10V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    6.010099mg
    yes
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    unknown
    R-PDSO-G6
    2
    200mW
    250MHz 200MHz
    10k Ω
    -100mA
    10k Ω
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
UMB10NTN UMB10NTN ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 对比
DDA122LU-7-F DDA122LU-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 对比
RN4982,LF(CT RN4982,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 对比