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首页 全部分类 BCR192E6327HTSA1 vs 2SA1162-GR,LF

BCR192E6327HTSA1备选型号: 2SA1162-GR,LF

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  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • Reach合规守则
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Infineon Technologies
    BCR192E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -65°C
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -100mA
    未说明
    BCR192
    不合格
    PNP
    Single
    SWITCHING
    不含卤素
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    70 @ 5mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    200MHz
    200MHz
    22 k Ω
    47 k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1162-GR,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    150mW
    -
    -
    -
    -
    -
    2SA1162
    -
    -
    Single
    -
    -
    PNP
    50V
    150mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 10mA, 100mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    7.994566mg
    100mV
    125°C TJ
    unknown
    150mW
    80MHz
    50V
    50V
    5V
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