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首页 全部分类 BCR555E6327HTSA1 vs SST2907AT116

BCR555E6327HTSA1备选型号: SST2907AT116

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  • 操作温度
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  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BCR555E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.22
    8541.21.00.75
    -50V
    330mW
    DUAL
    鸥翼
    -500mA
    BCR555
    PNP
    Single
    SWITCHING
    不含卤素
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    500mA
    70 @ 50mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    150MHz
    50V
    150MHz
    2.2 k Ω
    10 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SST2907AT116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 60V 0.6A SSD3
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    60V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    8541.21.00.75
    -60V
    350mW
    DUAL
    鸥翼
    -600mA
    T2907A
    -
    Single
    SWITCHING
    -
    PNP
    1.6V
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    100nA
    1.6V @ 50mA, 500mA
    200MHz
    60V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -1.6V
    150°C TJ
    yes
    260
    10
    3
    350mW
    200MHz
    PNP
    -60V
    -5V
    -600mA
    0.6 V
    100ns
    7pF
    无SVHC
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