ON Semiconductor KSA812GMTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Number of Elements

1

hFEMin

90

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-180mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

180MHz

Power Dissipation (Max)

150mW

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-50V

额定电流

-100mA

频率

180MHz

基本部件号

KSA812

元素配置

Single

功率耗散

150mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅