BF1102,115备选型号: DMN2040LTS-13
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 7V DUAL 6TSSOP6-TSSOP, SC-88, SOT-3637VTape & Reel (TR)2000Obsolete1 (Unlimited)40mAunknown800MHzBF1102615mAN-Channel Dual Gate2dB5V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant---------------------------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)6.7A TaTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)----8-----ROHS3 Compliant24 Weeks表面贴装表面贴装8157.991892mgSILICON-55°C~150°C TJAutomotive, AEC-Q101e3yes8EAR99Matte Tin (Sn)低温保持890mW鸥翼26040增强型MOSFET890mW5.2 ns2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING26m Ω @ 6A, 4.5V1.2V @ 250μA570pF @ 10V5.2nC @ 4.5V13.5ns6.1 ns6.7A12V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard1.025mm4.5mm3.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BF1216,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP | 对比 |
![]() | BF1210,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | 对比 |
![]() | PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |




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