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首页 全部分类 BF1102,115 vs PMGD8000LN,115

BF1102,115备选型号: PMGD8000LN,115

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • NXP USA Inc.
    BF1102,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 7V DUAL 6TSSOP
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    7V
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    40mA
    unknown
    800MHz
    BF1102
    6
    15mA
    N-Channel Dual Gate
    2dB
    5V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD8000LN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    125mA
    Tape & Reel (TR)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    YES
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    TrenchMOS™
    e3
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    8541.21.00.95
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    200mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    1.5V @ 100μA
    18.5pF @ 5V
    0.35nC @ 4.5V
    30V
    0.125A
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.2W
    逻辑电平门
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