BF1102R,115备选型号: DMB53D0UDW-7
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- 描述:
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 额定电流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 测试电流
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 噪声图
- 电压-测试
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 应用
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最小直流增益(hFE)
- 漏源电阻
- VCEsat-最大值
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON2Tape & Reel (TR)2000e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)低噪音8541.21.00.7540mA鸥翼260unknown800MHz40BF11026R-PDSO-G6不合格COMPLEXDUAL GATE, ENHANCEMENT MODE15mAAMPLIFIERN-Channel Dual Gate0.04A7VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR2dB5V0.05 pFROHS3 Compliant---------------------
- MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE6-TSSOP, SC-88, SOT-363--1Tape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-100mA PNP 160mA N-Channel鸥翼260--40DMB53D0U6-不合格-增强型MOSFET-SWITCHINGNPN, N-Channel--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR---ROHS3 Compliant18 Weeks表面贴装表面贴装66.010099mgyes150°C-55°C通用型250mWDUAL1Single50V160mA12V2005Ohm0.3 V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMB53D0UDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 特殊用途 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE | 对比 |
![]() | BF1205C,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS | 对比 |





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