BF1102R,115备选型号: DMB53D0UDW-7

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  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 额定电流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 噪声图
  • 电压-测试
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 漏源电阻
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    低噪音
    8541.21.00.75
    40mA
    鸥翼
    260
    unknown
    800MHz
    40
    BF1102
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMPLEX
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    15mA
    AMPLIFIER
    N-Channel Dual Gate
    0.04A
    7V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2dB
    5V
    0.05 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    100mA PNP 160mA N-Channel
    鸥翼
    260
    -
    -
    40
    DMB53D0U
    6
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    NPN, N-Channel
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6
    6.010099mg
    yes
    150°C
    -55°C
    通用型
    250mW
    DUAL
    1
    Single
    50V
    160mA
    12V
    200
    5Ohm
    0.3 V
    无SVHC
    无铅
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